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Apple은 보고된 문제 이후 iPhone 6 및 6 Plus에서 TLC NAND 플래시 사용을 중단할 것이라고 밝혔습니다.

2014년 11월 7일 금요일 오전 4:31 PST, Richard Padilla 작성

Apple은 사용자가 다음을 수행한 후 iPhone 6 및 iPhone 6 Plus에서 TLC(트리플 레벨 셀) NAND 플래시 사용에서 MLC(멀티 레벨 셀) NAND 플래시로 전환합니다. 경험 두 장치의 고용량 버전에서 충돌 및 부팅 루프 문제, 보고 비즈니스코리아 .





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소식통은 애플이 2011년에 인수한 플래시 메모리 회사 Anobit이 제조 결함의 책임이 있다고 신문에 말했습니다. Apple은 64GB iPhone 6 및 128GB iPhone 6 Plus용 MLC NAND 플래시로 전환하고 iOS 8.1.1 릴리스와 함께 충돌 및 부팅 루프 문제도 해결할 것이라고 합니다. Apple은 이전에 이전 세대 iPhone에서 MLC NAND 플래시를 사용한 적이 있습니다.

TLC NAND 플래시는 셀당 3비트의 데이터를 저장하는 솔리드 스테이트 NAND 플래시 메모리 유형입니다. 1비트의 데이터를 저장하는 단일 레벨 셀(SLC)보다 3배, 2비트의 데이터를 저장하는 다중 레벨 셀(MLC) 솔리드 스테이트 플래시 메모리보다 1.5배 많은 데이터를 저장할 수 있습니다. 게다가 TLC 플래시가 더 저렴합니다. 그러나 데이터 읽기 및 쓰기에서 SLC 또는 MLC보다 느립니다.



Apple은 이번 주 초 개발자에게 첫 번째 iOS 8.1.1 베타를 출시했지만 포함된 버그 수정이 iPhone 6 및 iPhone 6 Plus의 부팅 루프 및 충돌 문제를 해결했는지 여부는 지정하지 않았습니다. iPhone 6 또는 iPhone 6 Plus에서 비정상적인 양의 부팅 루프 및 충돌이 발생하는 사용자는 교체를 위해 기기를 Apple Retail Store로 다시 가져오는 것이 좋습니다.